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光彈調(diào)制器

簡要描述:Hinds Instruments, Inc公司是世界有名的(同時也是世界*的一家)(photoelastic modulators)生產(chǎn)商。Hinds Instruments公司的PEM光彈調(diào)制器可以控制光束的偏振狀態(tài)的改變,調(diào)制速率為20~100kHz。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時間:2021-06-02
  • 訪  問  量:3195
詳細介紹
產(chǎn)地類別進口

光彈調(diào)制器

美國Hinds Instruments, Inc公司是世界有名的(同時也是世界*的一家)光彈調(diào)制器(photoelastic modulators)生產(chǎn)商。Hinds Instruments公司的PEM可以控制光束的偏振狀態(tài)的改變,調(diào)制速率為20~100kHz。(PEM)的作用就像一個“動態(tài)的波片”,可以使快軸和慢軸之間產(chǎn)生一個周期變化的折射率差,從而控制透過光束的偏振進行周期性的變化。具體而言即,(photoelastic modulators)通過對線偏振光添一定的相位使輸出光在圓偏振、橢圓偏振、線偏振等狀態(tài)之間井進行變化,同時(PEM)還可以使光在左旋、右旋兩種狀態(tài)之間進行切換。

對比聲光調(diào)制器、電光調(diào)制器、液晶調(diào)制器的*之處包括:

 

?    非常大通光孔徑(15到30mm,標準),同時保持很高的調(diào)制器頻率

?    超大接受角度(市場角)范圍(+/- 20°)

?    波長覆蓋范圍大(170nm~10um,F(xiàn)IR~THZ)

?    高損傷閾值

?    可精確控制相位延遲

 

美國Hinds Instruments, Inc公司PEM電學(xué)和光學(xué)頭封裝在不同的部件中。這樣能夠zui小化光學(xué)系統(tǒng)單元的尺寸,同樣也使得光學(xué)頭與磁場或真空兼容(當這些有需要的時候)。

 

需要進一步了解關(guān)于原理,請點擊這里

 

應(yīng)用舉例:

在偏振方向調(diào)制中的應(yīng)用介紹.pdf

 

Hinds Instruments主要分為兩個系列:

 

Series I 系列使用矩形光學(xué)原件,波長覆蓋紫外、可見光和紅外至1或者2um。

Series II系列使用對稱或者八角形的光學(xué)原件,波長覆蓋可見和紅外(到中紅外)頻譜區(qū)域。特殊的型號可用于紫外。

 

Hinds Instruments公司的光學(xué)頭使用不同的光學(xué)材料,材料的選取主要取決于儀器頻譜透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。

 

 

TABLE 1

 

 

SPECTRAL REGION

SERIES

MATERIAL

Vacuum UV, UV

I

Lithium Fluoride

Vacuum UV to mid-IR

I,II

Calcium Fluoride

Vacuum UV to near-IR

I,II

Fused Silica

Mid-visible to mid-IR

II

Zinc Selenide

Near- to mid-IR

II

Silicon

 

 

相對于Series II八角形光學(xué)元件,Series I矩形的光學(xué)元件在相同厚度的情況下,相位延遲量更少。在紅外波段,這是一個缺點,但是在紫外波段,尤其是真空紫外,這則變成為了一個很大優(yōu)點。

 

八角形(Series II)光學(xué)元件在給定的厚度下更加的有效率,因此在紅外波段有更多的優(yōu)勢。使用Series II操作低延遲量(例如:深紫外)或許會造成一些問題。

 

 

可選選項(規(guī)格和價格會因為客戶需要而改變,詳情詢問昊量光電的工程師)

 

  • ?    增透膜,Model ARC。防反射膜可用于任何光學(xué)調(diào)制器上,窄帶寬和寬帶寬鍍膜都可得。
  • ?    請昊量光電關(guān)于頻譜范圍和透射率要求
  • ?    無干涉選項,Model NIO。這一項用于偏轉(zhuǎn)光束路徑,因此消除了調(diào)制器干涉
  • ?    特殊頻率,Model SFO。標準的調(diào)制頭配以特殊頻率
  • ?    特殊光學(xué)頭/電學(xué)頭電纜,Model SLHH
  • ?    特殊調(diào)制頭附件,Model SHE。光學(xué)頭可以根據(jù)客戶需要提供特殊形狀
  • ?    真空操作。PEM可用于真空環(huán)境,詳情請詢問Hinds
  •            磁場兼容選項,Model MFC。光學(xué)頭不含任何磁鐵材料,用于強磁場中

    基本指標

 

Model

Optical Material

Nominal

Frequency

Retardation Range

Useful

Aperture1

Quarter Wave

Half Wave

I/FS50

Fused Silica

50 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

16mm

I/FS20

Fused Silica

20 KHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

22mm

I/CF50

Calcium Fluoride

50 kHz

130nm - 2μm

130nm - 1μm

16mm

II/FS20A

Fused Silica

20 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

56mm

II/FS20B

Fused Silica

20 kHz

1.6μm - 2.6μm

800nm - 2.5μm

56mm

II/FS42A

Fused Silica

42 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

27mm

II/FS42B

Fused Silica

42 kHz

1.6μm - 2.6μm

800nm - 2.5μm

27mm

II/FS47A

Fused Silica

47 kHz

170nm - 2μm

170nm - 1μm

24mm

 

II/FS47B

Fused Silica

47 kHz

1.6μm - 2.6μm

800nm - 2.5μm

24mm

II/FS84

Fused Silica

84 kHz

800nm - 2.5μm

400nm - 2.5μm

13mm

II/IS42B

Fused Silica

42 kHz

1.6μm - 3.5μm

800nm - 2.5μm

27mm

II/IS84

Fused Silica

84 kHz

800nm - 3.5μm

400nm - 1.8μm

27mm

II/CF57

Calcium Fluoride

57 kHz

2μm - 8.5μm

1μm - 5.5μm

23mm

II/ZS37

Zinc Selenide

37 kHz

2μm - 18μm

1μm - 9μm

19mm

II/ZS50

Zinc Selenide

50 kHz

2μm - 18μm

1μm - 10μm

14mm

II/SI40

Silicon

40 kHz

FIR - THz

FIR - THz

36mm

II/SI50

Silicon

50 KHz

FIR - THz

FIR - THz

29mm

 

美國Hinds Instruments, Inc公司相關(guān)文獻請參考:http://www.auniontech。。com/n/document/v_Paper_of_Hinds.html

 

光彈調(diào)制式反射差分光譜儀的理論分析.pdf

在偏振方向調(diào)制中的應(yīng)用.pdf

應(yīng)用的Mueller矩陣分析.pdf

式多通道反射差分光譜技術(shù).pdf

定標新方法.pdf

光彈調(diào)制差分反射分析系統(tǒng)的建立與應(yīng)用.pdf

使用測量D-丙氨酸單晶低溫變溫光學(xué)性質(zhì)的研究.pdf

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